კომპანია Samsung-მა განაცხადა, რომ იწყებს სწრაფად მოქმედი NAND ფლეშ-მეხსიერების წარმოებას Toggle DDR2-ის ინტერფეისით.

20 ნანომეტრიანი მიკროჩიპები იწარმოება (MLC) მრავალდონიანი უჯრედების ტექნოლოგიით და აქვს 64გიგაბიტი (8 გიგაბაიტი) მოცულობა.ინტერფეისი Toggle DDR2 უზრუნველყოფს 400 მეგაბიტი/წამში გამტარუნარიანობას. ეს 10-ჯერ უფრო მეტია ვიდრე დღეს გავრცელებული Single Data Rate SDR NAND (40 მეგაბიტი/წმ.) და დაახლოებით სამჯერ მეტია DDR1 (133 მეგაბიტი/წმ) ინტერფეისზე.

მოსალოდნელია, რომ Samsung-ის ახალი ფლეშ-მეხსიერების მიკროსქემები გამოყენებული იქნება სმარტფონებში, პლანშეტურ კომპიუტერებში და ა.შ.

შეგახსენებთ რომ Toshiba მზადაა გამოუშვას NAND მეხსიერება 19 ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით. გასულ თვეს კომპანიამ დაიწყო 8 გიგაბაიტიანი ორ-ბიტიანი უჯრედებით მიკროსქმებების საცდელი წარმოება. თექვსმეტი ასეთი ჩიპი ერთ კორპუსში შესაძლებლობას იძლევა შევქმნათ 128 გიგაბაიტიანი მეხსიერება კომუნიკატორებისთვის, პლანშეტებისა და სხვა გაჯეტებისათვის.

გამოყენებულია PhysOrg-ის მასალები.

 

კორპორაცია Toshiba ახლოსაა ახალი ტიპის მყარი დისკების შექმნასთან, რომელსაც რამდენიმეჯერმე მეტი ტევადობა ექნება თანამედროვე გამოშვებებთან შედარებით.

დღესდღეობით ხელმისაწვდომ ვინჩესტერებში ინფორმაცია იწერება პატარა წაწვეტებული მეტალით, რომელიც ამაგნიტებს მილიარდობით დისკრეტულ ზონებს —დომენებს, მბრუნავ დისკრზე. ყოველი ეს მონაკვეთი წარმოადგენს ლოგიკურ ნულს ან ერთიანს, დამაგნიტებულობის მიხედვით. ერთი დომელი ასევე შიძლება შედგებოდეს ათობით და ათასობითაც კი მაგნიტური “მარცვლებისგან”, რაც შესაბამისად ინფორმაციის არც ისე სიმჭიდროვეს განსაზღვრავს.

Toshiba ანვითარებს სტრუქტურული მაგნიტური გარემოს მიღების ტექნოლოგიებს, რომელშიც ნაწილაკები განთავსებულია გარკვეული წესის თანახმად, რომელსაც Bit Patterned Media, BPM – ქვია. მეთოდიკის არსი იმაში მდგომარეობს, რომ ინფორმაციის თითიოეული ბიტი ინახება ერთ მაგნიტურ “კუნძულზე” (მაგნიტურ ბიტზე).

იმის მიუხედავად, რომ ВРМ ტექნოლოგიების კვლევა უკვე დიდ ხანს მიმდინარეობს, Toshiba იტყობინება, რომ მათ პირველად შეძლეს მაგნიტური ბიტების სწორ სტრუქტრურად დალაგება, ცალცალკე რიგებში; ეს იძლევა საჭირო ინფორმაციის ძებნის საშუალებას. დღევანდლამდე მკვლევარებს საქმე ჰქონდათ არამოწესრიგებულ ბიტების მასივთან, რომელშიც ინფორმაციის ძებნა უბრალოდ შუძლებელია.

აღინიშნება, რომ დღეისთვის ახალი ტექნოლოგია იძლევა კვადრატულ დიუმზე 2,5 ტერაბაიტი ინფორმაციის შენახვის საშუალებას. შედარებისთვის: მოწინავე კომპანიების თანამედროვე ვინჩესტერებში კვადრატულ დიუმზე 541 გბ ინფორმაციის შენახვაა შესაძლებელი. ანუ შეიძლება ითქვას, რომ ვინჩესტერების სივრცის გაზრდა 10 ტერაბაიტამდეა შესაძლებელი.

მაგრამ, სანამ ახალი ტიპის დისკები გაყიდვაში გამოვა სპეციალისტებს ჯერ რიგი პორბლემები აქვთ წინ, მაგალითად ძებნის ალგორითმი და ა.შ. Toshiba გვპირდება რომ ამ ტიპის მყარი დისკები გამოჩნდება დაახლოებით 2013 წლისათვის.

წყარო: PC World.

 

იმათთვის ვისაც ვერ გადაუწყვეტია რომელი სწრაფი DDR3 მეხსიერების მოდული გამოიყენოს მათი Core i7 პროცესორებისთვის, ინტელმა წარმოადგინა მისი თავსებადობის ცხრილი. პირველი ვინც გამოეხმაურა ამ სიას არის კომპანია Kingston რომელმაც წარმოადგინა 2.25 გიგაჰერციანი HyperX მეხსიერების მოდულები მას შემდეგ რაც გამოვიდა Corsair-ის 2.33 გიგაჰერციანი მოდელი. Kingston-ის მოდულები მუშაობს 1.65 ვოლტზე და უზრუნველყოფს 9-11-9-27-2 ტაიმინგებს.

 

კომპანია Samsung-მა პირველად მსოფლიოში განაცხადა მახსოვრობის DDR3 DRAM მიკროსქემის გამოშვების შესახებ, რომლის წარმოებაშიც იქნება გამოყენებული 30-ნანომეტრული ტექნოლოგია.

DDR3 DRAM (Double-Data-Rate Three Dynamic Random Access Memory) — დინამუირი მეხსიერება რომლეიც გამოყენბული იქნება სხვადასხვა მოწყობილობებში. DDR3 მოიხმარს 40%-ით ნაკლებ ენერგიას ვიდრე DDR2, რომელიც გამოწვეულია კვების ბლოკის ძაბვის შემცირებით 1,8-დან  1,5-მდე.

კომპანია Samsung-ის  განცხადებით 30-ნანომეტრული მიკროსქემა DDR3 DRAM-ს დასჭირდება  30%-ით ნაკლები ენერგია, ვიდრე ჩიპებს, რომელიც წარმოებულია 40-ნანომეტრული მეთოდით. DDR3 DRAM -ის გამოყენება ნოთბუქს მისცემს შეასძლებლობას გაზარდოს მუშაობის ხანგრძლიოვბა.

მოცემული მოდელების მიკროსქემებს აქვთ 2 გიგაბაიტი მოცულობა; კვების ბლოკის ძაბვა შეიძლება შედგენდეს 1,5 ან 1,35 ვოლტს. მოსლაოდნელია, რომ  ჩიპები გამოყენებული იქნება პერსონალურ კომპიუტერებში, ლეპტოპებში, ნოუთბუქებში და ასევე სასერვერო და მობილურ მოწყობილობებში.

30-ნანომეტრული მიკროსქემების DDR3 DRAM-ის მასიურ წარმოებას კომპანია Samsung გეგმავს მიმდინარე წლის მეორე ნახევარში.

40C6C5E5-EBBF-48BC-88CD-2E7F57BF52FC.jpg

გამოყენებულია PC World-ის მასალები.

© 2011 HI-TECH Suffusion theme by Sayontan Sinha

Social Widgets powered by AB-WebLog.com.

HI-TECH is Stephen Fry proof thanks to caching by WP Super Cache