Storage » HI-TECH

Samsung: SSD-დისკი ულტრაბუქებისთვის

Hardware, Samsung, Storage No Responses »

Dec 012011

კომპანია Samsung-მა დაიწყო SSD-დისკების წარმოება პორტატული კომპიუტერებისთვის.

ახალი დისკები, რომლებიც შედის PM830-ის სერიაში, დამზადებულია NAND ფლეშ-ბარათის ბაზაზე Toggle DDR ინტერფეისით, რომლებიც დამზადებულია 20-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით. მათ გააჩნიათ SATA 3.0 კონტროლერი და mSATA კონექტორი.

SSD-დისკები შემოთავაზებული იქნება 32, 64, 128 და 256 გბ მოცულობით; ინფორმაციის წაკითხვის და ჩაწერის სიჩქარე აღწევს 500 და 260 მბ/წ-მდე შესაბამისად. ნახსენებია, მონაცემების შიფრირების მხარდაჭერა AES (Advanced Encryption Standard) ალგორითმის მიხდევით 256 ბიტიანი გასაღებით.

დისკები ზომები შეადგენს 50,95×30×3,8 მმ-ს, ხოლო მათი წონა არის დაახლოვებით, 8გ. მოსალოდნელია, რომ სიახლეები პირველ რიგში გამოყენებული იქნება, ულტრაბუქებში — თხელ და მსუბუქ პორტატულ კომპიუტერებში.

წყარო: Softpedia

ფლეშ-ბრელოკი მოცულობით 2 ტბ!

Hardware, Input, Storage 1 Response »

Oct 042011

კომპანია Transcend, ტაივანური ინსტიტუტის მხარდაჭერით (ITRI) ახლო მომავალში აპირებს ფლეშ-ბრელოკების გამოშვებას რეკორდული მოცულობით — 2 ტბ-მდე.

ცნობილია, რომ Thin Card-ის მიერთება კომპიუტერთან, შესაძლებელია USB 3.0 ვერსიის ინტერფეისის საშუალებით, რომლის გამტარობის სიჩქარეც შეადგენს 5 გბიტ/წ-ს. ამ ზომებით სიახლე გაუტოლდება თანამედროვე ფლეშ-ბრელოკებს.

Transcend-მა უკვე წარმოადგინა Thin Card-ის ვერსია მოცულობით 16 გბ. ხოლო 2 ტბ-ანი ფლეშ-ბრელოკების წარმოების თარიღი და ღირებულება არ სახელდება. თუმცა დამკვირვებლები ვარაუდობენ, რომ მისი ღირებულება შესაძლებელია იყოს 600-დან 800 დოლარამდე.

შეაგახსენებთ, რომ თანამედროვე ფლეშ-ბრელოკების მაქსიმალური მოცულობა არის 256 გბ.

გამოყენებულია PhysOrg-ის მასალები.

IFA 2011: Toshiba-მ დააანონსა მსოფლიოში პირველი SDHC-ბარათი Wi-Fi-ს მხარდაჭერით

Hardware, IFA, Input, Storage, Toshiba, Wireless No Responses »

Sep 152011

კორპორაცია Toshiba-მ IFA 2011-ის გამოფენაზე (2–7 სექტემბერი, ბერლინი, გერმანია) წარმოადგინა, მსოფლიოში პირველი SDHC ფორმატის ფლეშ-ბარათი უკაბელო კავშირის Wi-Fi-ს მხარდაჭრით.

სიახლემ მიიღო დასახელება FlashAir და მისი მოცულობაა 8 გბ. ინფორმაციის გადაცემის სიჩქარე აღწევს 6 მბ/წ-მდე; სამუშაო ტემპერატურა — მინუს 25-დან პლიუს 85 გრადუსამდე ცელსიუსით.

ფელშ-ბართს აქვს IEEE 802.11b/g/n სტანდარტის და WEP, TKIP, AES (WPA, WPA2) პროტოკოლების მხარდაჭერა. მისი ზომები შეადგენს 32×24×2,1 მმ-ს, ხოლო წონა — 2 გ.

ბარათი FlashAir პირველ რიგიში განკუთვნილია ციფრულ ფოტოაპარატბში გამოსაყენებლად. ნიმუშები გამოჩნდება ნოემბერში; ხოლო მასიური წარმოება დაგეგმილია 2012 წლის თებერვალში. ღირებულება ჯერჯერობით არ სახელდება.

გამოყენებულია Toshiba-ს მასალები.

Samsung იწყებს მაღალსიჩქარიანი MLC NAND მეხსიერების წარმოებას

Hardware, Memory, Samsung, Storage No Responses »

Jun 042011

კომპანია Samsung-მა განაცხადა, რომ იწყებს სწრაფად მოქმედი NAND ფლეშ-მეხსიერების წარმოებას Toggle DDR2-ის ინტერფეისით.

20 ნანომეტრიანი მიკროჩიპები იწარმოება (MLC) მრავალდონიანი უჯრედების ტექნოლოგიით და აქვს 64გიგაბიტი (8 გიგაბაიტი) მოცულობა.ინტერფეისი Toggle DDR2 უზრუნველყოფს 400 მეგაბიტი/წამში გამტარუნარიანობას. ეს 10-ჯერ უფრო მეტია ვიდრე დღეს გავრცელებული Single Data Rate SDR NAND (40 მეგაბიტი/წმ.) და დაახლოებით სამჯერ მეტია DDR1 (133 მეგაბიტი/წმ) ინტერფეისზე.

მოსალოდნელია, რომ Samsung-ის ახალი ფლეშ-მეხსიერების მიკროსქემები გამოყენებული იქნება სმარტფონებში, პლანშეტურ კომპიუტერებში და ა.შ.

შეგახსენებთ რომ Toshiba მზადაა გამოუშვას NAND მეხსიერება 19 ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით. გასულ თვეს კომპანიამ დაიწყო 8 გიგაბაიტიანი ორ-ბიტიანი უჯრედებით მიკროსქმებების საცდელი წარმოება. თექვსმეტი ასეთი ჩიპი ერთ კორპუსში შესაძლებლობას იძლევა შევქმნათ 128 გიგაბაიტიანი მეხსიერება კომუნიკატორებისთვის, პლანშეტებისა და სხვა გაჯეტებისათვის.

გამოყენებულია PhysOrg-ის მასალები.

Corsair წარმოებისათვის ამზადებს Nova და Reactor 2.5-დიუმიან SSD-ებს

Storage No Responses »

Feb 082010

Corsair უწინ არ ცდილობდა ამ ბაზარზე გამოსულიყო მაგრამ ცნობილი გახდა, რომ ის აპირებს ლეპტოპებზე ორიენტირებული ორი პროდუქტის გამოშვებას. ეს არის 64/128 გბ Nova და 60/120 გბ Reactor, ორივე მუშაობს Indilinx Barefoot-ის კონტროლერებს, MLC NAND და მინიმუმ 64 მეგაბაიტიანი ქეში. Nova სერიებში მოსალოდნელია 215 მეგაბაიტი/წმ წაკითხვის სიჩქარე ორივე 128 და 64 გიგაბაიტიან მოდელებზე. როცა ჩაწერის სიჩქარე იქნება 130 მეგაბაიტი/წმ ყველ ამოდელისათვის. Reactor-ზე კი იქნება 128 მეგაბაიტიანი ქეში და უფრო მეტი გადაცემი სიჩქარე.