კომპანია Samsung-მა პირველად მსოფლიოში განაცხადა მახსოვრობის DDR3 DRAM მიკროსქემის გამოშვების შესახებ, რომლის წარმოებაშიც იქნება გამოყენებული 30-ნანომეტრული ტექნოლოგია.

DDR3 DRAM (Double-Data-Rate Three Dynamic Random Access Memory) — დინამუირი მეხსიერება რომლეიც გამოყენბული იქნება სხვადასხვა მოწყობილობებში. DDR3 მოიხმარს 40%-ით ნაკლებ ენერგიას ვიდრე DDR2, რომელიც გამოწვეულია კვების ბლოკის ძაბვის შემცირებით 1,8-დან  1,5-მდე.

კომპანია Samsung-ის  განცხადებით 30-ნანომეტრული მიკროსქემა DDR3 DRAM-ს დასჭირდება  30%-ით ნაკლები ენერგია, ვიდრე ჩიპებს, რომელიც წარმოებულია 40-ნანომეტრული მეთოდით. DDR3 DRAM -ის გამოყენება ნოთბუქს მისცემს შეასძლებლობას გაზარდოს მუშაობის ხანგრძლიოვბა.

მოცემული მოდელების მიკროსქემებს აქვთ 2 გიგაბაიტი მოცულობა; კვების ბლოკის ძაბვა შეიძლება შედგენდეს 1,5 ან 1,35 ვოლტს. მოსლაოდნელია, რომ  ჩიპები გამოყენებული იქნება პერსონალურ კომპიუტერებში, ლეპტოპებში, ნოუთბუქებში და ასევე სასერვერო და მობილურ მოწყობილობებში.

30-ნანომეტრული მიკროსქემების DDR3 DRAM-ის მასიურ წარმოებას კომპანია Samsung გეგმავს მიმდინარე წლის მეორე ნახევარში.

40C6C5E5-EBBF-48BC-88CD-2E7F57BF52FC.jpg

გამოყენებულია PC World-ის მასალები.